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Formation and Characterization of Filamentary Current Paths in HfO2-Based Resistive Switching Structures
IEEE electron device letters, 2012-07, Vol.33 (7), p.1057-1059
2012
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Formation and Characterization of Filamentary Current Paths in HfO2-Based Resistive Switching Structures
Ist Teil von
  • IEEE electron device letters, 2012-07, Vol.33 (7), p.1057-1059
Ort / Verlag
New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Erscheinungsjahr
2012
Quelle
IEL
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0741-3106
eISSN: 1558-0563
DOI: 10.1109/LED.2012.2194689
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_26136181
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Compound structure devices, Electronics, Exact sciences and technology, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

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