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Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AIGaN/GaN HEMTs
Solid-state electronics, 2012, Vol.72, p.15-21
2012

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Characterization and analysis of electrical trap related effects on the reliability of AIGaN/GaN HEMTs
Ist Teil von
  • Solid-state electronics, 2012, Vol.72, p.15-21
Ort / Verlag
Kidlington: Elsevier
Erscheinungsjahr
2012
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0038-1101
eISSN: 1879-2405
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_25883755
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Electronics, Exact sciences and technology, Interfaces, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices, Transistors

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