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Double Si nanocrystal layers grown by RPCVD for non-volatile memory applications
Semiconductor science and technology, 2011-02, Vol.26 (2), p.025008
Masarotto, L
Molas, G
Jalaguier, E
Gay, G
Colonna, J P
Hartmann, J M
Yckache, K
2011
Volltextzugriff (PDF)
Details
Autor(en) / Beteiligte
Masarotto, L
Molas, G
Jalaguier, E
Gay, G
Colonna, J P
Hartmann, J M
Yckache, K
Titel
Double Si nanocrystal layers grown by RPCVD for non-volatile memory applications
Ist Teil von
Semiconductor science and technology, 2011-02, Vol.26 (2), p.025008
Ort / Verlag
Bristol: IOP Publishing
Erscheinungsjahr
2011
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0268-1242
eISSN: 1361-6641
DOI: 10.1088/0268-1242/26/2/025008
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_23839288
Format
–
Schlagworte
Applied sciences
,
Design. Technologies. Operation analysis. Testing
,
Electronics
,
Exact sciences and technology
,
Integrated circuits
,
Integrated circuits by function (including memories and processors)
,
Magnetic and optical mass memories
,
Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology)
,
Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
,
Storage and reproduction of information
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