Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Zur Ergebnisliste
Ergebnis 1 von 31
    Datensatz exportieren als...
  • BibTeX
High-k/Metal-Gate Fully Depleted SOI CMOS With Single-Silicide Schottky Source/Drain With Sub-30-nm Gate Length
IEEE electron device letters, 2010-04, Vol.31 (4), p.275-277
2010
Volltextzugriff (PDF)

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
High-k/Metal-Gate Fully Depleted SOI CMOS With Single-Silicide Schottky Source/Drain With Sub-30-nm Gate Length
Ist Teil von
  • IEEE electron device letters, 2010-04, Vol.31 (4), p.275-277
Ort / Verlag
New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Erscheinungsjahr
2010
Quelle
IEEE Electronic Library Online
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0741-3106
eISSN: 1558-0563
DOI: 10.1109/LED.2010.2040133
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_22729118
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Design. Technologies. Operation analysis. Testing, Electronics, Exact sciences and technology, Integrated circuits, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices, Transistors

Weiterführende Literatur

Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX