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Quantization effects in hole inversion layers of tunnel MOS emitter transistors on Si (100) and (111) substrates at T = 300 K
Semiconductor science and technology, 1999-05, Vol.14 (5), p.470-477
1999

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Quantization effects in hole inversion layers of tunnel MOS emitter transistors on Si (100) and (111) substrates at T = 300 K
Ist Teil von
  • Semiconductor science and technology, 1999-05, Vol.14 (5), p.470-477
Ort / Verlag
Bristol: IOP Publishing
Erscheinungsjahr
1999
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch; Russisch
Identifikatoren
ISSN: 0268-1242
eISSN: 1361-6641
DOI: 10.1088/0268-1242/14/5/317
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_1783086
Format
–

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