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A 0.18μm 3.0V 64Mb non-volatile phase-transition random-access memory (PRAM)
WOO YEONG CHO
CHO, Beak-Hyung
HWANG, Young-Nam
AHN, Su-Jin
JUNG, Gi-Tae
JUNG, Hong-Sik
KIM, Kinam
CHOI, Byung-Gil
OH, Hyung-Rok
KANG, Sang-Beom
KIM, Ki-Sung
KIM, Kyung-Hee
KIM, Du-Eung
KWAK, Choong-Keun
BYUN, Hyun-Geun
First edition, 2004
Volltextzugriff (PDF)
Details
Autor(en) / Beteiligte
WOO YEONG CHO
CHO, Beak-Hyung
HWANG, Young-Nam
AHN, Su-Jin
JUNG, Gi-Tae
JUNG, Hong-Sik
KIM, Kinam
CHOI, Byung-Gil
OH, Hyung-Rok
KANG, Sang-Beom
KIM, Ki-Sung
KIM, Kyung-Hee
KIM, Du-Eung
KWAK, Choong-Keun
BYUN, Hyun-Geun
Titel
A 0.18μm 3.0V 64Mb non-volatile phase-transition random-access memory (PRAM)
Auflage
First edition
Ort / Verlag
Piscataway, New Jersey: IEEE
Erscheinungsjahr
2004
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 0780382676, 9780780382671
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_17457651
Format
–
Schlagworte
Applied sciences
,
Design. Technologies. Operation analysis. Testing
,
Electronics
,
Exact sciences and technology
,
Integrated circuits
,
Integrated circuits by function (including memories and processors)
,
Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices
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