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Epitaxial CuInS2 on Si(111) using di-tert-butyl disulfide as sulphur precursor
Thin solid films, 2005, Vol.480-81, p.347-351
CALVET, Wolfram
LEHMANN, Carsten
PLAKE, Tilo
PETTENKOFER, C
2005
Volltextzugriff (PDF)
Details
Autor(en) / Beteiligte
CALVET, Wolfram
LEHMANN, Carsten
PLAKE, Tilo
PETTENKOFER, C
Titel
Epitaxial CuInS2 on Si(111) using di-tert-butyl disulfide as sulphur precursor
Ist Teil von
Thin solid films, 2005, Vol.480-81, p.347-351
Ort / Verlag
Lausanne: Elsevier Science
Erscheinungsjahr
2005
Quelle
Access via ScienceDirect (Elsevier)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0040-6090
eISSN: 1879-2731
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_16820868
Format
–
Schlagworte
Applied sciences
,
Cross-disciplinary physics: materials science
,
rheology
,
Energy
,
Exact sciences and technology
,
Materials science
,
Methods of deposition of films and coatings
,
film growth and epitaxy
,
Molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy
,
Natural energy
,
Photoelectric conversion: solar cells and arrays
,
Photovoltaic conversion
,
Physics
,
Solar cells. Photoelectrochemical cells
,
Solar energy
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