Thin solid films, 2005, Vol.480-81, p.347-351
2005
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Details
- Autor(en) / Beteiligte
- Titel
- Epitaxial CuInS2 on Si(111) using di-tert-butyl disulfide as sulphur precursor
- Ist Teil von
- Thin solid films, 2005, Vol.480-81, p.347-351
- Ort / Verlag
- Lausanne: Elsevier Science
- Erscheinungsjahr
- 2005
- Quelle
- Alma/SFX Local Collection
- Sprache
- Englisch
- Identifikatoren
- ISSN: 0040-6090eISSN: 1879-2731Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_16820868
- Format
- –
- Schlagworte
- Applied sciences, Cross-disciplinary physics: materials science, rheology, Energy, Exact sciences and technology, Materials science, Methods of deposition of films and coatings, film growth and epitaxy, Molecular, atomic, ion, and chemical beam epitaxy, Natural energy, Photoelectric conversion: solar cells and arrays, Photovoltaic conversion, Physics, Solar cells. Photoelectrochemical cells, Solar energy