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Protection of selectively implanted and patterned silicon carbide surfaces with graphite capping layer during post-implantation annealing
Semiconductor science and technology, 2005-03, Vol.20 (3), p.271-278
2005
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Protection of selectively implanted and patterned silicon carbide surfaces with graphite capping layer during post-implantation annealing
Ist Teil von
  • Semiconductor science and technology, 2005-03, Vol.20 (3), p.271-278
Ort / Verlag
Bristol: IOP Publishing
Erscheinungsjahr
2005
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch; Russisch
Identifikatoren
ISSN: 0268-1242
eISSN: 1361-6641
DOI: 10.1088/0268-1242/20/3/003
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_16582975
Format
–

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