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0.13-μm RF CMOS and varactors performance optimization by multiple gate layouts
IEEE transactions on electron devices, 2004-12, Vol.51 (12), p.2181-2185
2004
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
0.13-μm RF CMOS and varactors performance optimization by multiple gate layouts
Ist Teil von
  • IEEE transactions on electron devices, 2004-12, Vol.51 (12), p.2181-2185
Ort / Verlag
New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Erscheinungsjahr
2004
Quelle
IEEE Electronic Library Online
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0018-9383
eISSN: 1557-9646
DOI: 10.1109/TED.2004.839868
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_16285389
Format
–
Schlagworte
Applied sciences, Design. Technologies. Operation analysis. Testing, Diodes, Electronics, Exact sciences and technology, Integrated circuits, Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices

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