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A hydrogen sensing Pd/InGaP metal-semiconductor (MS) Schottky diode hydrogen sensor
Semiconductor science and technology, 2003-07, Vol.18 (7), p.615-619
Lin, Kun-Wei
Chen, Huey-Ing
Lu, Chun-Tsen
Tsai, Yan-Ying
Chuang, Hung-Ming
Chen, Chun-Yuan
Liu, Wen-Chau
2003
Details
Autor(en) / Beteiligte
Lin, Kun-Wei
Chen, Huey-Ing
Lu, Chun-Tsen
Tsai, Yan-Ying
Chuang, Hung-Ming
Chen, Chun-Yuan
Liu, Wen-Chau
Titel
A hydrogen sensing Pd/InGaP metal-semiconductor (MS) Schottky diode hydrogen sensor
Ist Teil von
Semiconductor science and technology, 2003-07, Vol.18 (7), p.615-619
Ort / Verlag
Bristol: IOP Publishing
Erscheinungsjahr
2003
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0268-1242
eISSN: 1361-6641
DOI: 10.1088/0268-1242/18/7/303
Titel-ID: cdi_pascalfrancis_primary_14878987
Format
–
Schlagworte
Condensed matter: electronic structure, electrical, magnetic, and optical properties
,
Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films and low-dimensional structures
,
Electronic transport in interface structures
,
Exact sciences and technology
,
Metal-semiconductor-metal structures
,
Physics
,
Surface double layers, schottky barriers, and work functions
Weiterführende Literatur
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