Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
1/f noise magnitude of unirradiated MOS transistors correlates with radiation-induced hole trapping efficiency of the oxide. This suggests that the previously unidentified defect that causes 1/f noise in MOS transistors is linked to the radiation-induced hole trap, the E prime center, or to a direct precursor in SiO sub 2 before irradiation. A simple equation relating the trapping efficiency of the oxide and the noise is derived.