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Extrinsic Absorption Pathways in Vanadium‐Doped SiC Measured Using a Total Internal Reflection Geometry
Ist Teil von
Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2020-10, Vol.217 (20), p.n/a
Ort / Verlag
United States: Wiley
Erscheinungsjahr
2020
Quelle
Wiley Online Library All Journals
Beschreibungen/Notizen
Optoelectronics
This image shows an illustration of the light trapping geometry used to capture low absorbing light used to identify the relative efficiency of different low absorption coefficient photo‐absorption pathways for SiC:V with varying co‐doping, shown for the cases considered in the middle and bottom rows. More details can be found in article number 2000315 by Lars F. Voss and co‐workers.