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Low Temperature Growth of Boron Nitride Nanotubes on Substrates
Ist Teil von
Nano letters, 2005-12, Vol.5 (12), p.2528-2532
Ort / Verlag
Washington, DC: American Chemical Society
Erscheinungsjahr
2005
Link zum Volltext
Quelle
MEDLINE
Beschreibungen/Notizen
High growth temperatures (>1100 °C), low production yield, and impurities have prevented research progress and applications of boron nitride nanotubes (BNNTs) in the past 10 years. Here, we show that BNNTs can be grown on substrates at 600 °C. These BNNTs are constructed of high-order tubular structures and can be used without purification. Tunneling spectroscopy indicates that their band gap ranges from 4.4 to 4.9 eV.