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01aA03 Si結晶成長における複数の不純物添加の偏析(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
日本結晶成長学会誌, 2006/11/01, Vol.33(4), pp.179
干川, 岳志
太子, 敏則
黄, 新明
宇田, 聡
2006
Volltextzugriff (PDF)
Details
Autor(en) / Beteiligte
干川, 岳志
太子, 敏則
黄, 新明
宇田, 聡
Titel
01aA03 Si結晶成長における複数の不純物添加の偏析(半導体バルク(1),第36回結晶成長国内会議)
Ist Teil von
日本結晶成長学会誌, 2006/11/01, Vol.33(4), pp.179
Ort / Verlag
日本結晶成長学会
Erscheinungsjahr
2006
Quelle
Free E-Journal (出版社公開部分のみ)
Sprache
Japanisch
Identifikatoren
ISSN: 0385-6275
eISSN: 2187-8366
DOI: 10.19009/jjacg.33.4_179
Titel-ID: cdi_jstage_primary_article_jjacg_33_4_33_KJ00004543498_article_char_ja
Format
–
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