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Tuning weak localization in single-layer disordered SnSe2/graphene/h-BN field-effect device
2d materials, 2022-10, Vol.9 (4)
2022
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Tuning weak localization in single-layer disordered SnSe2/graphene/h-BN field-effect device
Ist Teil von
  • 2d materials, 2022-10, Vol.9 (4)
Ort / Verlag
IOP Publishing
Erscheinungsjahr
2022
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Sprache
Englisch
Identifikatoren
eISSN: 2053-1583
DOI: 10.1088/2053-1583/ac70e1
Titel-ID: cdi_iop_journals_10_1088_2053_1583_ac70e1
Format
–
Schlagworte
coherent, graphene, h-BN, SnSe, weak localization

Weiterführende Literatur

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