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The p-type ZnO thin films obtained by a reversed substitution doping method of thermal oxidation of Zn3N2 precursors Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No. 11474076)
Ist Teil von
Chinese physics B, 2017-10, Vol.26 (11)
Ort / Verlag
Chinese Physical Society and IOP Publishing Ltd
Erscheinungsjahr
2017
Link zum Volltext
Quelle
Alma/SFX Local Collection
Beschreibungen/Notizen
P-type ZnO is crucial for the realization of ZnO-based homojunction ultraviolet optoelectronic devices. The problem associated with the preparation of stable p-type ZnO with high hole density still hinders device applications. In this paper, we introduce an alternative route to stabilizing N in the oxidation process, the thermal stability of p-ZnO is significantly improved. Finally, we discuss the limitations of the alternative doping method and provide some prospective outlook of the method.