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Ultra high speed SiGe NPN for advanced BiCMOS technology
Ist Teil von
International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224), 2001, p.15.3.1-15.3.4
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2001
Quelle
IEEE Xplore
Beschreibungen/Notizen
A scalable SiGe NPN demonstrating Ft*BVceo product of 340 GHz-V with Ft of 170 GHz and BVceo of 2.0 V together with Fmax of 160 GHz is presented. Peak Ft is reached at a relatively low current density of 6 mA//spl mu/m/sup 2/. The device is integrated in a 0.18 /spl mu/m BiCMOS process with dual-gate MOS transistors, high voltage NPN transistors, MIM capacitors, metal resistors, and 6 layers of metal including two layers of thick Cu for improved interconnect and inductor performance.