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Post Fabrication Permanent Laser Trimming of Silicon Nitride Photonic Devices
Ist Teil von
2019 IEEE 2nd British and Irish Conference on Optics and Photonics (BICOP), 2019, p.1-3
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2019
Quelle
IEEE/IET Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
We demonstrated the possibility of trimming the operating wavelength of nitrogen-rich silicon nitride racetrack resonators by exposing the devices to an ultraviolet laser. The results revealed that in a few seconds only, the resonant wavelength of fabricated devices could be tuned to any point within a free spectral range. This technique can also be applied to trim the response of any other silicon photonic device based on nitrogen-rich silicon nitride.