Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Ergebnis 23 von 242
2016 Asia Communications and Photonics Conference (ACP), 2016, p.1-2
2016
Volltextzugriff (PDF)

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
The Effect of Overvoltage and Gate Signal Voltage on Dark Count Rate of Single Photon Detection
Ist Teil von
  • 2016 Asia Communications and Photonics Conference (ACP), 2016, p.1-2
Ort / Verlag
OSA
Erscheinungsjahr
2016
Quelle
IEEE/IET Electronic Library
Beschreibungen/Notizen
  • We found that the change of overvoltage has more influence than that of the gate signal voltage on DCR. The lower DCR and higher detection efficiency can be achieved by choosing the voltage appropriately.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
eISSN: 2162-1098
DOI: 10.1364/ACPC.2016.AF2A.69
Titel-ID: cdi_ieee_primary_8680534

Weiterführende Literatur

Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX