Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Ergebnis 21 von 1745
IEEE electron device letters, 2019-02, Vol.40 (2), p.345-348
2019
Volltextzugriff (PDF)

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Low Power Restricted Boltzmann Machine Using Mixed-Mode Magneto-Tunneling Junctions
Ist Teil von
  • IEEE electron device letters, 2019-02, Vol.40 (2), p.345-348
Ort / Verlag
New York: IEEE
Erscheinungsjahr
2019
Quelle
IEEE Electronic Library Online
Beschreibungen/Notizen
  • This letter discusses mixed-mode magneto tunneling junction (m-MTJ)-based restricted Boltzmann machine (RBM). RBMs are unsupervised learning models, suitable for extracting features from high-dimensional data. The m-MTJ is actuated by the simultaneous actions of voltage-controlled magnetic anisotropy and voltage-controlled spin-transfer torque, where the switching of the free-layer is probabilistic and can be controlled by the two. Using m-MTJ-based activation functions, we present a novel low area/power RBM. We discuss online learning of the presented implementation to negate process variability. For MNIST hand-written dataset, the design achieves ~96% accuracy under expected variability in various components.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0741-3106
eISSN: 1558-0563
DOI: 10.1109/LED.2018.2889881
Titel-ID: cdi_ieee_primary_8599144

Weiterführende Literatur

Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von bX