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2018 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2018, p.107-108
2018

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Modelling of the Laser Dynamics of an (Al,In)GaN Laser Diode
Ist Teil von
  • 2018 International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), 2018, p.107-108
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2018
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • (Al,In)GaN laser diodes show an intricate interplay of longitudinal mode competition and mode clustering. So far, modelling of these diodes has been restricted to rate equations, necessitating the input of a variety of phenomenological parameters. Here, we perform calculations based on the semiconductor Bloch equations which offer the chance of a full many-body calculation and microscopic determination of all parameters. In the current contribution, we restrict our calculations to basic mechanisms and use phenomenological parameters for numerical reasons. Even in this simple model, we are able to reproduce the mode rolling phenomena found in measurements and gain access to parameters not accessible in a rate equation model.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
eISSN: 2158-3242
DOI: 10.1109/NUSOD.2018.8570238
Titel-ID: cdi_ieee_primary_8570238

Weiterführende Literatur

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