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2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2018, p.28-31
2018
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
6.5 kV field shielded anode (FSA) diode concept with 150C maximum operational temperature capability
Ist Teil von
  • 2018 IEEE 30th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD), 2018, p.28-31
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2018
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • In this paper we present a low leakage current 6.5 kV field shielded anode (FSA) diode with high forward bias safe operating area (FBSOA) ruggedness capable of reliable operation up to 150 °C. This is achieved through optimization of the junction termination, the resistive zone (RZ) between this area and the active region and selective shallow ion irradiation for local lifetime control. As a result, the diode maintains or exceeds the softness, surge current and FBSOA capabilities set by the 6.5 kV carrier axial lifetime (CAL) diode, while also reducing its (125 °C) leakage current by more than 4 times achieving magnitudes typically associated with low leakage emitter efficiency control (EMCON) based concepts.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
eISSN: 1946-0201
DOI: 10.1109/ISPSD.2018.8393594
Titel-ID: cdi_ieee_primary_8393594

Weiterführende Literatur

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