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2018 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2018, p.886-893
2018
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Design considerations for GaN transistor based synchronous rectification
Ist Teil von
  • 2018 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), 2018, p.886-893
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2018
Quelle
IEEE Electronic Library Online
Beschreibungen/Notizen
  • With improved electrical characteristics, GaN transistors have demonstrated superior performance in numerous hard-switching, soft-switching, and resonant power applications. In this paper, we will focus on the evaluation of GaN transistors as synchronous rectifiers and discuss design considerations unique for low voltage (<100 V), high frequency GaN transistor based synchronous rectification applications. Two experimental prototypes, operating from V in =48 V to V out =12 V and f sw =300-1000 kHz and V in =12 V to V out =1.8 V at f sw =10 MHz are used for evaluation.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
eISSN: 2470-6647
DOI: 10.1109/APEC.2018.8341118
Titel-ID: cdi_ieee_primary_8341118

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