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Optimization guidelines of A2RAM cell performance through TCAD simulations
Ist Teil von
2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2017, p.329-332
Ort / Verlag
The Japan Society of Applied Physics
Erscheinungsjahr
2017
Quelle
IEEE/IET Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
A2RAM belongs to the 1T-DRAM family and is a potential candidate to replace the traditional 1T/1C- DRAM [1-2]. In this paper, we propose a TCAD simulation [3] methodology to assess A2RAM performance, validated through experimental measurement. It is then used to provide further insight in A2RAM and optimization guidelines.