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2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2017, p.329-332
2017
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Optimization guidelines of A2RAM cell performance through TCAD simulations
Ist Teil von
  • 2017 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), 2017, p.329-332
Ort / Verlag
The Japan Society of Applied Physics
Erscheinungsjahr
2017
Quelle
IEEE/IET Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • A2RAM belongs to the 1T-DRAM family and is a potential candidate to replace the traditional 1T/1C- DRAM [1-2]. In this paper, we propose a TCAD simulation [3] methodology to assess A2RAM performance, validated through experimental measurement. It is then used to provide further insight in A2RAM and optimization guidelines.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 4863486111, 9784863486119
ISSN: 1946-1569
eISSN: 1946-1577
DOI: 10.23919/SISPAD.2017.8085331
Titel-ID: cdi_ieee_primary_8085331

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