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2.5 A high-efficiency multiband Class-F power amplifier in 0.153µm bulk CMOS for WCDMA/LTE applications
2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), 2017, p.40-41
2017

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
2.5 A high-efficiency multiband Class-F power amplifier in 0.153µm bulk CMOS for WCDMA/LTE applications
Ist Teil von
  • 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), 2017, p.40-41
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2017
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Xplore Digital Library
Beschreibungen/Notizen
  • Tthis class-F PA achieves the highest efficiency among the published CMOS PAs in Fig. 2.5.6 and closes the performance gap between CMOS and GaAs PAs, especially, at LB frequencies.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
eISSN: 2376-8606
DOI: 10.1109/ISSCC.2017.7870250
Titel-ID: cdi_ieee_primary_7870250
Format
–
Schlagworte
Capacitance, Harmonic analysis, Impedance matching, Linearity, Long Term Evolution, Manganese, Power amplifiers

Weiterführende Literatur

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