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Thin bonded wafer SOI CMOS technology for low voltage high performance applications
International Electron Devices and Materials Symposium, 1994, p.8-8
1994
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Thin bonded wafer SOI CMOS technology for low voltage high performance applications
Ist Teil von
  • International Electron Devices and Materials Symposium, 1994, p.8-8
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
1994
Quelle
IEEE Electronic Library Online
Beschreibungen/Notizen
  • Silicon-on-Insulator (SOI) is becoming more attractive for enhancing performance as MOSFET physical dimensions are scaled down. In this work, a 0.5 micron process using bonded SOI material is compared to bulk CMOS. The comparisons include electrical parameters, delay time, and speed power product.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
DOI: 10.1109/EDMS.1994.771270
Titel-ID: cdi_ieee_primary_771270
Format
–
Schlagworte
Circuit optimization, CMOS process, CMOS technology, Delay effects, Low voltage, MOSFET circuits, Semiconductor films, Silicon on insulator technology, Threshold voltage, Wafer bonding

Weiterführende Literatur

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