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InAs nanowire GAA n-MOSFETs with 12-15 nm diameter
Ist Teil von
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2016, p.1-2
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2016
Quelle
IEEE/IET Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
InAs nanowires (NW) grown by MOCVD with diameter d as small as 10 nm and gate-all-around (GAA) MOSFETs with d = 12-15 nm are demonstrated. I on = 314 μA/μm, and S sat =68 mV/dec was achieved at V dd = 0.5 V (I off = 0.1 μA/μm). Highest g m measured is 2693 μS/μm. Device performance is enabled by small diameter and optimized high-k/InAs gate stack process. Device performance tradeoffs between g m , R on , and I min are discussed.