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Si FinFET based 10nm technology with multi Vt gate stack for low power and high performance applications
Ist Teil von
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology, 2016, p.1-2
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2016
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
10nm logic technology using Si FinFET is developed for low power and high performance applications. Power-speed gain of 27% compared to 14nm technology node was obtained using four key developments: 1) advanced gate stack engineering enabling 4 multi-Vt devices, 2) 3 rd generation Fin technology, 3) highly doped source/drain (S/D), and 4) contact resistance optimization. CVD liner for BEOL process was also applied for better metal fill capability. Finally yield of the smallest ever SRAM with 0.04um 2 SRAM bit-cell size was demonstrated.