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2016 17th International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 2016, p.103-106
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2016
Quelle
IEEE Electronic Library Online
Beschreibungen/Notizen
This paper presents GaAs MMIC passive frequency doubler operating in 12-26 GHz frequency range. The original topology of the frequency doubler was designed. MMIC was produced using GaAs Schottky diodes technology ("Micran" fab). The circuit is designed for a nominal value of input power of 15 dBm, a conversion loss of 15 dB.