Proceedings of 1st International Symposium on Plasma Process-Induced Damage, 1996, p.84-86
1996
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Details
- Autor(en) / Beteiligte
- Titel
- A New Methodology for Monitoring and Comparing Edge Exposure and Plasma Charging Current Damage from Plasma Processing
- Ist Teil von
- Proceedings of 1st International Symposium on Plasma Process-Induced Damage, 1996, p.84-86
- Ort / Verlag
- IEEE
- Erscheinungsjahr
- 1996
- Quelle
- IEL
- Sprache
- Englisch
- Identifikatoren
- ISBN: 0965157709, 9780965157704DOI: 10.1109/PPID.1996.715208Titel-ID: cdi_ieee_primary_715208
- Format
- –
- Schlagworte
- Annealing, Etching, Monitoring, MOSFETs, Plasma applications, Plasma devices, Plasma materials processing, Plasma measurements, Stress, Voltage