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2014 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2014, p.1-2
2014
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
The fluorescence transformation characteristics research of the CsI(Tl) thin film
Ist Teil von
  • 2014 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, 2014, p.1-2
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
IEEE Xplore
Beschreibungen/Notizen
  • This article proposed a new X-ray detector structure using Al as the separation and protection material based on thin layer CsI(Tl) crystal arrays coupled CCD. In this paper, an improved physical model is established, based on which a comprehensive discussion was performed on transmission and conversion factor of various types of fluorescence throughout the process of excitation and transfer. The results showed that, the crystal column's best diameter is generally in 10um magnitudes.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
DOI: 10.1109/EDSSC.2014.7061208
Titel-ID: cdi_ieee_primary_7061208

Weiterführende Literatur

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