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Single-Event Characterization of the 28 nm Xilinx Kintex-7 Field-Programmable Gate Array under Heavy Ion Irradiation
Ist Teil von
2014 IEEE Radiation Effects Data Workshop (REDW), 2014, p.1-5
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2014
Quelle
IEEE Electronic Library Online
Beschreibungen/Notizen
This study examines the single-event response of the Xilinx 28 nm Kintex-7 FPGA irradiated with heavy ions. Results for single-event effects on configuration SRAM cells, user-accessible Flip-Flop cells, and BlockRAM™ memory are provided. This study also describes an unconventional single event latch-up signature observed during testing.