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GalnP Multiwafer Growth (7x 2", 5 x 3") by LP-MOVPE for HBT, Laser LED or Solar Cells
Sixth International Conference Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, 1992, p.142-142
1992
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
GalnP Multiwafer Growth (7x 2", 5 x 3") by LP-MOVPE for HBT, Laser LED or Solar Cells
Ist Teil von
  • Sixth International Conference Metalorganic Vapor Phase Epitaxy, 1992, p.142-142
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
1992
Quelle
IEEE Xplore
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 9780879426521, 0879426527
DOI: 10.1109/MOVPE.1992.664983
Titel-ID: cdi_ieee_primary_664983
Format
–
Schlagworte
Costs, Epitaxial growth, Epitaxial layers, Heterojunction bipolar transistors, Inductors, Lattices, Light emitting diodes, Photovoltaic cells, Semiconductor lasers, Throughput

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