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RF Frequency Response of Photoconductive Samplers
IEEE journal of quantum electronics, 2011-02, Vol.47 (2), p.223-229
2011

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
RF Frequency Response of Photoconductive Samplers
Ist Teil von
  • IEEE journal of quantum electronics, 2011-02, Vol.47 (2), p.223-229
Ort / Verlag
New York: IEEE
Erscheinungsjahr
2011
Link zum Volltext
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • We derive the microwave bandwidth of ultrafast optoelectronic samplers based on photoconducting switches, using a simple analytical model. The validity of this model is checked by measuring the bandwidth of semi-intrinsic and low-temperature-grown GaAs photoswitches. The bandwidth of such devices is limited by the response time of both the semiconductor material and the electrical circuit. The devices behave as low-pass filters exhibiting a -60 dB/decade slope.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0018-9197
eISSN: 1558-1713
DOI: 10.1109/JQE.2010.2077672
Titel-ID: cdi_ieee_primary_5689402
Format
–
Schlagworte
Bandwidth, Devices, Electric circuits, Frequency response of optoelectronic devices, Gallium arsenide, Laser excitation, low-temperature-grown GaAs, Mathematical analysis, Microwaves, Noise levels, Optical pulses, Optical switches, Optics, photoconductive devices, Physics, Radio frequency, Resistance, Samplers, sampling methods, Time factors

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