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2010 IEEE 5th International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, 2010, p.748-751
2010
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
A continuous-time voltage readout for SiC micromechanical capacitive pressure sensor
Ist Teil von
  • 2010 IEEE 5th International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems, 2010, p.748-751
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2010
Quelle
IEEE Xplore
Beschreibungen/Notizen
  • This paper presents a CMOS capacitive sensing amplifier for a SiC MEMS capacitive pressure sensor. Noise performance and noise optimization studied from a theoretical point of view. This amplifier is a differential difference amplifier (DDA) with optimal transistor sizing to minimize sensor noise floor. The simulation result shows that the circuit can obtain a stable and linear voltage, and Continuous-Time Voltage is an ideal choice compared to other method for sensing ultra-small capacitance change of the MEMS sensors.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 9781424465439, 1424465435
DOI: 10.1109/NEMS.2010.5592264
Titel-ID: cdi_ieee_primary_5592264

Weiterführende Literatur

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