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2010 Symposium on VLSI Circuits, 2010, p.243-244
2010
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
A 9-bit 150-MS/s 1.53-mW subranged SAR ADC in 90-nm CMOS
Ist Teil von
  • 2010 Symposium on VLSI Circuits, 2010, p.243-244
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2010
Quelle
IEEE Explore
Beschreibungen/Notizen
  • This paper reports a subranged SAR ADC consisting of a 3.5-bit flash coarse ADC, a 6-bit SAR fine ADC, and a differential segmented capacitive DAC. The flash ADC controls thermometer MSBs of the DAC and SAR ADC controls the binary LSBs. The segmented DAC improves DNL during MSB transitions. The merged switching of MSB capacitors enhances operation speed. The 9-bit 150-MS/s ADC consumes 1.53 mW from a 1.2-V supply. The ENOB is 8.69 bit and ERBW is 100 MHz. The FOMs at 1.2 V, 150 MS/s and 1 V, 100 MS/s are 24.7 and 17.7 fJ/conversion-step, respectively. At 1.3-V supply voltage, the sampling rate achieves 200 MS/s.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 9781424454549, 1424454549
ISSN: 2158-5601
eISSN: 2158-5636
DOI: 10.1109/VLSIC.2010.5560246
Titel-ID: cdi_ieee_primary_5560246

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