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BD180LV - 0.18 μm BCD technology with best-in-class LDMOS from 7V to 30V
Ist Teil von
2010 22nd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD), 2010, p.71-74
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2010
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
0.18μm BCD technology with the best-in-class nLDMOS is presented. The drift of nLDMOS is optimized to ensure lowest Rsp by using multi-implants and appropriate thermal recipe. The optimized 24V nLDMOS has BV DSS =36V and Rsp=14.5 mΩ-mm 2 . Electrical SOA and long-term hot electron (HE) SOA are also evaluated. The maximum operating voltage less than 10% degradation of on-resistance is 24.4V.