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Low resistance ohmic contacts to p-Ge/sub 1-x/Cx on Si
IEEE electron device letters, 1997-01, Vol.18 (1), p.7-9
1997
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Low resistance ohmic contacts to p-Ge/sub 1-x/Cx on Si
Ist Teil von
  • IEEE electron device letters, 1997-01, Vol.18 (1), p.7-9
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
1997
Quelle
IEEE Xplore
Beschreibungen/Notizen
  • We report on ohmic contact measurements of Al, Au, and W metallizations to p-type epitaxial Ge/sub 0.9983/C/sub 0.0017/ grown on a
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0741-3106
eISSN: 1558-0563
DOI: 10.1109/55.553059
Titel-ID: cdi_ieee_primary_553059
Format
–
Schlagworte
Annealing, Carbon dioxide, Contact resistance, Electrical resistance measurement, Gold, Metallization, Molecular beam epitaxial growth, Ohmic contacts, Substrates, Temperature distribution

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