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BibTeX
Schottky-Base I2L - A High Performance LSI Technology
ESSCIRC 78: 4th European Solid State Circuits Conference - Digest of Technical Papers, 1978, p.43-46
Bahraman, A.
Chang, S. Y.
Romeo, D. E.
Schuegraf, K. K.
1978
Volltextzugriff (PDF)
Details
Autor(en) / Beteiligte
Bahraman, A.
Chang, S. Y.
Romeo, D. E.
Schuegraf, K. K.
Titel
Schottky-Base I2L - A High Performance LSI Technology
Ist Teil von
ESSCIRC 78: 4th European Solid State Circuits Conference - Digest of Technical Papers, 1978, p.43-46
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
1978
Quelle
IEEE Xplore
Beschreibungen/Notizen
Design and performance of Schottky-base I 2 L for high performance applications is described.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
Titel-ID: cdi_ieee_primary_5469051
Format
–
Schlagworte
Delay effects
,
Epitaxial layers
,
Integrated circuit interconnections
,
Isolation technology
,
Large scale integration
,
Logic circuits
,
Low voltage
,
Metallization
,
Schottky diodes
,
Switches
Weiterführende Literatur
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