Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist gegebenenfalls nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich. mehr Informationen...
Investigation of the details of silicon nanowhisker growth by Monte Carlo simulation
Ist Teil von
2009 International School and Seminar on Modern Problems of Nanoelectronics, Micro- and Nanosystem Technologies, 2009, p.47-49
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2009
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
Silicon nanowhisker (NW) growth was investigated by Monte Carlo simulation. Dependence of NW growth rate on radius R was obtained. Growth rate was found to be proportional to 1/R 2 for diffusion growth mode and radius independent for adsorption mode.