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X-band T/R module in state-of-the-art GaN technology
Ist Teil von
2009 European Radar Conference (EuRAD), 2009, p.258-261
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2009
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
In this paper a first iteration X-band T/R module based on a GaN-HEMT MMIC Front-End chip-set, comprising a power amplifier, robust low-noise amplifier and power switch will be presented. Even though ultimate T/R module performance cannot be achieved with current GaN-HEMT technological maturity the impact that this technology can have at systems level in terms of performance/cost trade-off will be illustrated by means of a preliminary innovative module architecture which foresees the elimination of more traditional T/R module components such as ferrite circulator and limiter for front-end signal routing and protection.