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16Mb Split Gate Flash Memory with Improved Process Window
2009 IEEE International Memory Workshop, 2009, p.1-2
2009
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
16Mb Split Gate Flash Memory with Improved Process Window
Ist Teil von
  • 2009 IEEE International Memory Workshop, 2009, p.1-2
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2009
Quelle
IEEE Xplore
Beschreibungen/Notizen
  • This paper reports on recent bitcell optimizations that improve drive current and program performance. The 16 Mb and 32 Mb array results are best to-date for nanocrystal memories and suggest a robust, reliable array operation.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 9781424437627, 1424437628
ISSN: 2159-483X
DOI: 10.1109/IMW.2009.5090570
Titel-ID: cdi_ieee_primary_5090570
Format
–
Schlagworte
Character generation, Degradation, Flash memory, Implants, Memory architecture, Nanocrystals, Robustness, Silicon, Split gate flash memory cells, Voltage

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