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1996 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of TEchnical Papers, ISSCC, 1996, p.158-159
1996
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
A 200 MHz 256 kB second level cache with 1.6 GB/s data bandwidth
Ist Teil von
  • 1996 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of TEchnical Papers, ISSCC, 1996, p.158-159
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
1996
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • Improvements in processor performance have given rise to tightly-coupled, high-bandwidth second-level caches that are key to processor performance. This paper describes a 256 kB, 4-way set-associative companion cache SRAM to a microprocessor. High speed is achieved by keeping the processor and cache in the same 2-chip module and by communicating over a private 72 b data bus. Supply voltage is 3.3 V and maximum power is 3.8 W at 150 MHz, assuming back-to-back reads. The BiCMOS process features 4-level metal and 0.4 /spl mu/m Leff.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 9780780331365, 0780331362
ISSN: 0193-6530
eISSN: 2376-8606
DOI: 10.1109/ISSCC.1996.488552
Titel-ID: cdi_ieee_primary_488552

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