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2006 International Conference on Numerical Simulation of Semiconductor Optoelectronic Devices, 2006, p.3-4
2006

Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Microscopic simulation of semiconductor lasers in the GaInNAs material system
Ist Teil von
  • 2006 International Conference on Numerical Simulation of Semiconductor Optoelectronic Devices, 2006, p.3-4
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2006
Link zum Volltext
Quelle
IEL
Beschreibungen/Notizen
  • (GaIn)(NAs) lasers of different material compositions are considered with respect to their gain properties and radiative and Auger losses. Scattering and dephasing processes are included on a microscopic basis. The theory shows good agreement to experiment. Optical properties for a 1.55 mum structure are investigated and show no principal degradation as compared to a 1.3 mum structure
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 078039755X, 9780780397552
ISSN: 2158-3234
DOI: 10.1109/NUSOD.2006.306712
Titel-ID: cdi_ieee_primary_4098752

Weiterführende Literatur

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