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IEEE journal of solid-state circuits, 2006-12, Vol.41 (12), p.2921-2929
2006
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
A 25-Gb/s CDR in 90-nm CMOS for High-Density Interconnects
Ist Teil von
  • IEEE journal of solid-state circuits, 2006-12, Vol.41 (12), p.2921-2929
Ort / Verlag
New York, NY: IEEE
Erscheinungsjahr
2006
Quelle
IEEE Xplore
Beschreibungen/Notizen
  • This paper presents a clock-and-data recovery (CDR) for pseudo-synchronous high-density link applications. The CDR is a first-order bang-bang (BB) topology implemented in a standard CMOS process and consists of a phase interpolator, a linear half-rate phase detector, an analog filter followed by a limiter and a digital loop filter operating at a reduced clock rate. A detailed BB CDR analysis derives the maximum tracking range, slew-rate limited jitter tolerance and maximum loop delay. The circuit is optimized for high speed as well as low area and power consumption. The CDR operates from 8-28 Gb/s at a BER of <10 -12 and tracks frequency deviations between the incoming data and the reference clock of up to plusmn122 ppm. The sinusoidal jitter tolerance is >0.35UI pp for jitter frequencies les100 MHz and the total timing jitter of the recovered half-rate output data amounts to 0.22 UIpp at a BER=10 -12 . The core CDR circuit occupies a chip area of 0.07 mm 2 and consumes 98 mW from a 1.1-V supply

Weiterführende Literatur

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