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Asymmetric SEU in SOI SRAMs
IEEE transactions on nuclear science, 2005-12, Vol.52 (6), p.2481-2486
2005
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Asymmetric SEU in SOI SRAMs
Ist Teil von
  • IEEE transactions on nuclear science, 2005-12, Vol.52 (6), p.2481-2486
Ort / Verlag
New York: IEEE
Erscheinungsjahr
2005
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Beschreibungen/Notizen
  • Partially depleted (PD) 0.15 /spl mu/m CMOS silicon-on-insulator (SOI) SRAMs were exposed to heavy ions, 14 MeV neutrons, and protons. The upset threshold and saturated cross section LET values were determined from heavy ion exposures. The SRAMs were then exposed at various angles of incidence with respect to a 14 MeV neutron source to a total fluence of 4/spl times/10/sup 13/ n/cm/sup 2/. The number of upsets from front exposure was more than double the number from back exposure. Following neutron exposure, proton upset measurements were performed. For a given fluence, the number of proton induced upsets was essentially identical to the number of neutron induced upsets.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISSN: 0018-9499
eISSN: 1558-1578
DOI: 10.1109/TNS.2005.860720
Titel-ID: cdi_ieee_primary_1589227

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