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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
Linewidth enhancement factor in semiconductor quantum well In/sub 1-y/Ga/sub y/As and In/sub 1-y/Ga/sub y/As/sub 1-x/N/sub x
Ist Teil von
  • EQEC '05. European Quantum Electronics Conference, 2005, 2005, p.30
Ort / Verlag
IEEE
Erscheinungsjahr
2005
Link zum Volltext
Quelle
IEEE/IET Electronic Library
Beschreibungen/Notizen
  • This study investigates the linewidth enhancement factor in semiconductor quantum well In/sub 1-y/Ga/sub y/As and In/sub 1-y/Ga/sub y/As/sub 1-x/ N/sub x/. This work applies the theory based on semiconductor Bloch equations to the calculation of the linewidth enhancement factor of GaInNAs structures compared to an ordinary InGaAs quantum well. Results show that the linewidth enhancement factor is reduced by the inclusion of nitrogen as a consequence of the reduction of carrier-induced refractive index.
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 9780780389731, 0780389735
DOI: 10.1109/EQEC.2005.1567202
Titel-ID: cdi_ieee_primary_1567202

Weiterführende Literatur

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