28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, p.500-503
1998
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Details
- Autor(en) / Beteiligte
- Titel
- High Speed Bipolar on Bonded Buried Silicide SOI (S2OI)
- Ist Teil von
- 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, p.500-503
- Ort / Verlag
- Editions Frontieres
- Erscheinungsjahr
- 1998
- Quelle
- IEEE Xplore
- Sprache
- Englisch
- Identifikatoren
- ISBN: 9782863322345, 2863322346Titel-ID: cdi_ieee_primary_1503598
- Format
- –
- Schlagworte
- Bipolar transistors, Circuits, Electric resistance, Etching, Linearity, Ring oscillators, Silicides, Silicon, Tungsten, Wafer bonding