UNIVERSI
TÄ
TS-
BIBLIOTHEK
P
ADERBORN
Anmelden
Menü
Menü
Start
Hilfe
Blog
Weitere Dienste
Neuerwerbungslisten
Fachsystematik Bücher
Erwerbungsvorschlag
Bestellung aus dem Magazin
Fernleihe
Einstellungen
Sprache
Deutsch
Deutsch
Englisch
Farbschema
Hell
Dunkel
Automatisch
Sie befinden Sich nicht im Netzwerk der Universität Paderborn. Der Zugriff auf elektronische Ressourcen ist
gegebenenfalls
nur via VPN oder Shibboleth (DFN-AAI) möglich.
mehr Informationen...
Universitätsbibliothek
Katalog
Suche
Details
Zur Ergebnisliste
Ergebnis 25 von 132
Datensatz exportieren als...
BibTeX
High Speed Bipolar on Bonded Buried Silicide SOI (S2OI)
28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, p.500-503
Goody, S.B.
Osborne, P.H.
Quinn, S.
Blackstone, S.
1998
Volltextzugriff (PDF)
Details
Autor(en) / Beteiligte
Goody, S.B.
Osborne, P.H.
Quinn, S.
Blackstone, S.
Titel
High Speed Bipolar on Bonded Buried Silicide SOI (S2OI)
Ist Teil von
28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, p.500-503
Ort / Verlag
Editions Frontieres
Erscheinungsjahr
1998
Quelle
IEEE Xplore
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 9782863322345, 2863322346
Titel-ID: cdi_ieee_primary_1503598
Format
–
Schlagworte
Bipolar transistors
,
Circuits
,
Electric resistance
,
Etching
,
Linearity
,
Ring oscillators
,
Silicides
,
Silicon
,
Tungsten
,
Wafer bonding
Weiterführende Literatur
Empfehlungen zum selben Thema automatisch vorgeschlagen von
bX