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An Experimental Method for Simultaneous Extraction of Parasitic Potential Barrier Heights at Emitter-Base and Collector-Base Junctions of SIGe HBT's
28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, p.96-99
1998
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Details

Autor(en) / Beteiligte
Titel
An Experimental Method for Simultaneous Extraction of Parasitic Potential Barrier Heights at Emitter-Base and Collector-Base Junctions of SIGe HBT's
Ist Teil von
  • 28th European Solid-State Device Research Conference, 1998, p.96-99
Ort / Verlag
Editions Frontieres
Erscheinungsjahr
1998
Quelle
IEEE Electronic Library (IEL)
Sprache
Englisch
Identifikatoren
ISBN: 9782863322345, 2863322346
Titel-ID: cdi_ieee_primary_1503497
Format
–
Schlagworte
Bipolar transistors, Boron, Computer science, Cutoff frequency, Data mining, Germanium silicon alloys, Heterojunction bipolar transistors, Numerical simulation, Photonic band gap, Silicon germanium

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